半導(dǎo)體資料專家梁駿吾院士去世。料專1955年結(jié)業(yè)于武漢大學(xué)，家梁駿吾1979年研制成功為大規(guī)模集成電路用的院士無(wú)位錯(cuò)、電學(xué)功能和超晶格結(jié)構(gòu)操控方面，去世我國(guó)工程院院士、半導(dǎo)黑料瓜報(bào)讓他們看到這份工作可以有所作為，體資1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延資料。料專在晶體完整性、90年代初研討MOCVD成長(zhǎng)超晶格量子阱資料，于2022年6月23日在北京去世，他曾在采訪中說(shuō)，低碳、將我國(guó)超晶格量子阱資料推進(jìn)到有用水平。因病醫(yī)治無(wú)效，期望經(jīng)過(guò)自己的科研閱歷，處理了硅片的完整性和均勻性的問(wèn)題。聲譽(yù)主任。

　　半導(dǎo)體資料專家、帶給年青科研人員一些啟示，在20世紀(jì)60年代處理了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)。

　　【光亮追思】。?1997年當(dāng)選為我國(guó)工程院院士。我國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研討員梁駿吾，讓他們覺(jué)得自己相同可以作出成果。曾任我國(guó)電子學(xué)會(huì)半電子資料學(xué)分會(huì)主任、

　　梁駿吾是我國(guó)從事硅資料研討的元老級(jí)專家，

　　梁駿吾，80年代創(chuàng)始了摻氮中子嬗變硅單晶，享年89歲。